mSAP工艺下，铜箔已经起飞，关注感光干膜的预期差

核心观点：

AI芯片正在向CoWoP先进封装迭代，通过取消封装基板提升传输效率。传统减成法（Tenting）物理极限（线宽/线距≥50um）难以满足要求，需改用mSAP工艺将线宽/线距压至15-30um。

在mSAP中，载体铜箔和感光干膜是两大爆发式增长的物料。mSAP（改良型半加成法）工艺要求线路精度大幅提升，传统减法工艺用20-35微米铜箔，而mSAP必须用3微米以内的超薄载体铜箔，因此铜箔的需求大幅提升。而感光干膜方面，感光干膜需具备更高耐电镀性能。相较传统Tenting干膜，mSAP干膜价值量翻2倍以上，部分高端AI应用可达60-80元/㎡，感光干膜材料具备较大的预期差

• 一、感光干膜：mSAP工艺下的量价齐升

1. 什么是感光干膜？

感光干膜是PCB核心耗材，占PCB总产值约2-3%。在PCB加工中贴到铜板上，利用光学性质保护特定部位，保证电镀环节按预定电路图加工。

核心性能指标：解析度。解析度越好，干膜应用越高端，价格越高。行业均价约5-7元/平，高端干膜10元以上，部分AI高端应用可达60-80元/平。

2. mSAP工艺对干膜的两大推动

（1）量的推动

mSAP工艺中，原来同生态位的湿膜光刻胶（液体，成本低但解析度差）无法使用，全面转向感光干膜。

（2）价的推动

mSAP要求干膜长期浸泡在电镀液中，对抗性+可剥离性有新要求，需特化高端干膜。相同应用中，mSAP干膜价格可达普通干膜的2倍以上。

3. AI需求叠加，行业空间重构

• AI PCB层数比传统高几倍 → 单位干膜用量提升

• 1.6T光模块全面标配mSAP工艺

• AI服务器向先进封装走，同样标配mSAP

mSAP市场过去供需稳定，光模块增长已打破稳态。后续AI服务器需求可能将AI干膜需求推向2-3亿平/年，哪怕mSAP渗透率仅10-20%，也带来大几千万平增量。

市场空间测算：在AI+mSAP双驱动下，干膜市场有望保持30%+增长，2-3年后较2025年110亿市场翻倍，主要由价格因子推动。

4. 国产替代窗口：供需紧张加速客户导入

干膜占PCB成本低（2-3%），但对良率影响巨大，下游厂商一般不愿更换供应商。供需紧张时，供应链安全考量会驱动厂商积极引入新的高端干膜供应商——这正是国内厂商的机遇。

目前外资（日企+台企）市占率超70%，高端市场统治力更强。国内竞争对手主要是福斯特和斯特龙。

5. 核心标的

福斯特（首推）

• 产品性能：最前沿mSAP高端干膜已开始小批量销售，解析度行业领先

• 产能：今年扩到5亿平以上，全球第一；产线日本进口最高精度设备，可无缝生产高端干膜

• 市场目标：2-3年市占率目标20-30%（目前超10%），对应净利润9-10亿元（相当于光伏主业低谷期的利润体量），30倍估值=270-300亿市值

第二曲线：

• 光伏胶膜：价格已涨50%+，盈利修复，今年预期28亿平出货，14亿净利润，300亿市值

• 太空光伏（CPI膜+改性硅胶）：3万颗卫星部署，中期看400亿市值

• 合计目标1000亿+市值

二、载体铜箔：最高端铜箔，国产替代临界点已至

1. 什么是载体铜箔？

载体铜箔由载体层+剥离层+超薄功能铜层组成，核心是厚度仅1.5-3微米的超薄功能铜层（传统铜箔18-35微米）。它既薄又保持低粗糙度，是铜箔产品线中的“皇冠明珠”。其定价模式也与普通铜箔（铜价+加工费）完全不同——按单品计价，目前单价约112元/平。

2. 应用场景：与mSAP工艺直接挂钩

mSAP（改良型半加成法）工艺要求线路精度大幅提升，传统减法工艺用20-35微米铜箔，而mSAP必须用3微米以内的超薄载体铜箔。主要应用在：

• IC封装载板（当前最大市场）

• 高端消费电子（如苹果手机）

• 存储芯片（非手机类PKG的大头）

• 光模块（1.6T及以后全面采用）

3. 市场格局：三井垄断95%，国产替代紧迫

全球载体铜箔95%被日本三井垄断，剩余份额在卢森堡。三井过去三年：

• PKG（IC封装载板）出货量CAGR约28%

• HDI部分CAGR约13%

• 2025年出货量约3800万平，行业总需求约4000万平

• 2026年4月再次涨价12%（铜价每涨10%仅增加1元多成本，涨价主要是景气驱动）

4. 光模块带来的增量弹性

硅光方案的800G已开始采用载体铜箔，1.6T及以后全面采用。单只光模块对应载体铜箔需求约0.05-0.1平。测算：

• 2026年光模块贡献约500万平增量（占行业约10%）

• 2027年有望达1500万平（几倍增长）

核心公司：方邦股份、德福科技