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mSAP工艺下,铜箔已经起飞,关注感光干膜的预期差

mSAP工艺下,铜箔已经起飞,关注感光干膜的预期差
核心观点:AI芯片正在向CoWoP先进封装迭代,通过取消封装基板提升传输效率。传统减成法(Tenting)物理极限(线宽/线距≥50um)难以满足要求,需改用mSAP工艺将线宽/线距压至15-30um。在mSAP中,载体铜箔和感光干膜是两大爆发式增长的物料。mSAP(改良型半加成法)工艺要求线路精度大幅提升,传统减法工艺用20-35微米铜箔,而mSAP...

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