直接上干货，两层因素让聚和新材成为稀缺标的

一i、海力士扩产利好S聚和材料(sh688503）S聚和材料完整逻辑拆解

二、台积电先进封装技术升级加扩产

郭明錤表示：2026年6月研报确认，台积电CoPoS已建成试产线，2028下半年正式量产，英伟达Feynman GPU首发搭载；

2. 台积电股东会董事长魏哲家实锤：玻璃基板CoPoS技术2-3年内规模化落地，解决超大尺寸AI芯片封装瓶颈；

核心重点：CoPoS会带来封装掩膜、空白掩膜双重增量，是掩膜板块核心催化逻辑。

先看海力士

核心底层关系（实锤供应链）

聚和材料2026年4月完成收购韩国Lumina Mask（原SK旗下SKE），空白掩膜版已稳定批量供货SK海力士：

1. 客户结构：SK海力士是其掩膜业务第一大客户，占掩膜板块销售额84%；且已签长期供货框架协议。

2. 产品匹配：供应DUV空白掩膜版（14–90nm存储制程必备），DRAM/HBM/NAND光刻工序刚需耗材，每一片晶圆投片都要持续消耗掩膜基板。

3. 官方确认：公司互动易明确披露，产品已通过SK海力士量产验证、并实现量产和稳定出货。

截图实锤

海力士本轮扩产如何直接拉动聚和材料订单

1. 扩产规模带来耗材增量

SK海力士规划：2030年DRAM月产能从当前55万片翻倍至100万片，2034年总产能翻3倍；新建龙仁晶圆集群+清州M15X HBM专用产线，2027年起新洁净室陆续投产，全部聚焦AI算力HBM、高端DRAM 。

- 掩膜属于消耗型耗材：晶圆投片量越大，空白掩膜采购量线性增长；HBM先进制程光刻工序更多，单位晶圆掩膜消耗量高于普通DDR。

- 增量拆分：韩国本土龙仁新厂+无锡20万片成熟产线同步扩产，两边都是聚和掩膜业务核心客户，双重放量。

2. 独家绑定壁垒，订单确定性高

空白掩膜板认证周期1–2年，替换供应商门槛极高；目前国内能稳定供货海力士DUV空白掩膜板的厂商极少，聚和是核心本土供应商：

1. 韩国工厂现有产能1万片/年，随海力士扩产2026年底技改扩至1.5万片；

2. 上海新建国内产线（一期2万片2027Q3投产，二期2万片2028年底落地），承接海力士未来新增产能需求，解决产能瓶颈。

3. AI存储长期需求持续放大

本轮扩产核心驱动力是英伟达Vera Rubin、AI服务器HBM需求爆发，海力士持续加码HBM4/HBM5产能，先进存储制程对高端空白掩膜需求增速远超普通存储，聚和直接受益AI算力长周期红利。

再看台积电先进封装带来的增量

台积电股东会董事长魏哲家实锤：玻璃基板CoPoS技术2-3年内规模化落地，解决超大尺寸AI芯片封装瓶颈；

拿数据来说话：

1. 当前主流CoWoS-L（英伟达Rubin/Vera服务器在用）：最大 5.5个Reticle 单封装面积

2. 下一代CoPoS玻璃面板封装：起步 14个Reticle 单封装面积。

老CoWoS上限：5.5 Reticle/颗芯片

新CoPoS起步：14 Reticle/颗芯片

面积倍数：14 ÷ 5.5 ≈ 2.55倍

3.同时由于先进封装中介层要做多道光刻工序，每一层RDL重布线、TSV通孔、微凸点、隔离层都要单独一套掩膜。

1. 传统CoWoS硅中介层

硅中介层单面加工，光刻工序少，整套封装仅需3~4套独立掩膜版；

总耗材单元 = 5.5（面积）× 3.5（平均层数）= 19.25 标准掩膜单元总量

2. CoPoS玻璃面板封装

玻璃基板正反面都要光刻，布线层数、微过孔数量翻倍，单封装需要12~14套独立掩膜；

总耗材单元 = 14（面积）× 13（平均层数）= 182 标准掩膜单元总量

则可以算出总消耗倍数 = CoPoS总掩膜单元 ÷ CoWoS总掩膜单元

= (14 × 13) ÷ (5.5 × 3.5)

= 182 ÷ 19.25 ≈ 9.45倍

所以掩膜用量翻9.5倍


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