当前,碳化硅(SiC)产业正处于从技术验证向规模化商业化落地的关键跃迁阶段,叠加下游多场景需求共振、全球供应链格局重构,相关概念股的投资价值迎来系统性重构。汽车800V高压平台渗透率提升、充电桩新能效国标落地、AI数据中心高压电源需求爆发,共同构成了产业高景气的核心催化信号,标志着碳化硅已从“可选”变为“必选”,正式迈入规模化成长周期。

一、行业高景气的核心驱动因素

1、下游需求爆发:多场景共振构建增长基本盘。碳化硅的高景气度源于汽车、光储、充电桩三大主力市场的持续高景气,以及AI、消费电子等新兴场景的需求集中爆发:1)汽车市场‌:800V高压平台渗透率快速提升,单车碳化硅用量从最初的个位数增长至如今的数十颗,带动功率器件需求持续攀升;同时海外大厂将更多产能倾斜至AI领域,进一步挤压汽车端产能,推动国产碳化硅器件加速导入。2)光储与充电桩市场‌:海外户用储能需求维持高增长,国内光储项目持续落地,叠加2026年11月起实施的充电桩新能效国标,推动充电模块向高效率升级,碳化硅器件成为刚需。3)AI与新兴场景‌:AI数据中心高压电源需求即将爆发,碳化硅作为“电力管家”可提升电源效率、降低能耗;同时在散热基板等散热材料领域,预计2028年起将进入规模起量阶段,成为新的增长曲线。

2、供需格局优化:高端产能紧俏推动价格企稳回升。当前碳化硅产业链呈现“低端产能过剩、高端产能紧俏”的格局,头部厂商产能利用率普遍超过90%,部分型号产品已出现缺货、客户加价拿货的情况:1)衬底片环节‌:6英寸产品价格大幅反弹,8英寸产品止跌企稳并小幅上涨,高规格、高品质衬底片因供应紧张,价格涨幅更为明显;英飞凌、意法半导体等海外大厂已完成两轮涨价,国内厂商价格也随成本传导有所回暖。2)芯片与模块环节‌:交付周期大幅拉长,部分企业已实施一轮涨价,不排除近期进行新一轮提价,进一步凸显供需缺口。

3、成本下降与技术突破:产业规模化落地的核心支撑。1)碳化硅器件成本的持续下降是驱动下游应用放量的核心因素:衬底制造环节占SiC功率器件总成本的47%,外延生长环节占比23%,两者合计达70%;随着8英寸碳化硅晶圆技术成熟、产能放量,衬底片成本大幅降低,带动芯片及模块成本降至下游可接受范围,与需求增长形成正向共振。2)同时,技术突破也在加速产业进程:晶盛机电已实现12英寸碳化硅晶体生长技术突破并建成中试线,8英寸碳化硅衬底已获取海内外客户批量订单,马来西亚8英寸碳化硅衬底工厂预计2026年底通线投产,标志着国内碳化硅技术已跻身全球第一梯队。

二、产业链各环节投资机会

1、核心材料:国产替代的核心受益者。1)‌衬底片‌:天岳先进、天科合达等头部厂商产能利用率超90%,8英寸衬底片订单持续增长,随着扩产推进,国产化率将进一步提升,有望替代海外进口,成为全球供应链的核心参与者。2)‌外延片‌:作为衬底片的下游环节,外延片的技术门槛较高,国内厂商如晶盛机电等已实现技术突破,随着8英寸产能放量,将受益于下游芯片制造的需求增长。

2、芯片与模块:需求爆发的直接受益方。1)‌功率器件‌:以斯达半导、时代电气为代表的国产功率半导体企业,已实现碳化硅MOSFET器件的规模化量产,受益于汽车、光储等领域的高需求,订单增速持续保持高位。2)‌模块厂商‌:如比亚迪半导体等企业,为下游客户提供定制化的碳化硅模块解决方案,在新能源汽车、充电桩等场景的应用不断深化,成长确定性较强。

3、设备端:扩产浪潮下的新增长机遇。碳化硅产业链的扩产浪潮为设备厂商带来了可观的新增订单:晶盛机电的12英寸减压外延设备及ALD设备,可满足高端存储芯片和碳化硅外延工艺需求;上海优睿谱等设备厂商的量检测设备订单旺盛,客户要求紧急交付。随着8英寸晶圆产能的持续扩张,设备需求将持续增长,具备技术优势和交付能力的厂商有望迎来业绩爆发。

三、结语

碳化硅产业正处于规模化落地的关键节点,AI与新能源的双重驱动将催生巨大的市场空间,具备核心技术和商业化能力的企业有望在这一浪潮中脱颖而出,为投资者带来丰厚的回报。‌聚焦龙头标的‌:优先选择在技术、产能、客户资源方面具备明显优势的企业,如晶盛机电、天岳先进、斯达半导等,这些企业已获得市场和资本的认可,成长确定性更高。‌关注产业链协同‌:关注上下游企业之间的协同效应,如晶盛机电在碳化硅衬底材料、半导体装备领域的布局,能为其带来稳定的订单和长期的发展机遇。‌动态跟踪行业动态‌:密切关注行业政策、技术进展、企业订单和业绩情况,及时调整投资策略,把握行业发展的最新趋势。同时,可关注AI、储能等新兴场景的发展,挖掘新的投资机会。需要注意的是,尽管当前扩产集中在头部企业,但若后续市场需求增速放缓,或出现低端产能盲目扩张的情况,可能导致产能过剩,影响企业盈利。

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