一、核心定位与产品

国林科技通过子公司国林半导体，在 3D 封装领域提供高浓度高纯臭氧发生器、臭氧水系统及机能水设备，是国内唯一通过 14-28nm 先进制程验证并批量供货的半导体臭氧设备厂商，对标美国 MKS（全球市占约 90%），实现关键设备国产化替代。

二、3D 封装中的三大核心应用环节

（1）TSV 深孔清洗：良率保障的关键

3D 封装的核心是硅通孔 (TSV) 技术，垂直贯通的微小通孔 (5-50μm) 需要超高洁净度以确保金属填充质量和电气连接可靠性。

国林臭氧水系统用于去除 TSV 孔内聚合物残留、颗粒杂质和有机污染物，替代传统高温硫酸与双氧水混合液

强氧化性臭氧水可快速分解污染物并转化为

CO₂和 H₂O，无化学残留，避免金属污染，大幅提升
TSV 良率

适配高深宽比 (10:1 以上) 3D 结构，渗透能力远超传统清洗液

（2）薄膜沉积（ALD/CVD）：绝缘层与钝化层的优质氧化源

3D 堆叠中多层芯片间需要高质量绝缘层和钝化层，国林高纯臭氧在原子层沉积 (ALD) 工艺中发挥不可替代作用：

作为强氧化前驱体生成 SiO₂、高 k 介质等薄膜，纯度高于水蒸气，杂质更少，致密度与均匀性更佳

低温适配性强，避免高温对堆叠芯片的损伤，适合多层有源堆叠场景

每层堆叠都需多次 ALD 沉积，随着 3D 封装层数增加
(如 3D NAND 达 232 层以上)，臭氧用量与设备需求同步增长

（3）混合键合前处理：铜 - 铜直接互联的洁净基础

混合键合 (Hybrid
Bonding) 是 3D 封装的终极互连方案，实现无凸点铜

  • 铜直接键合，对表面洁净度要求极高：

    国林 UV 臭氧干法清洗设备去除芯片表面碳污染和超薄氧化层，为铜 - 铜键合创造完美界面

    臭氧水清洗用于晶圆减薄、抛光、划切后的表面处理，确保键合面无颗粒和有机残留

    适配亚微米级键合间距 (300nm 以下)，提升互连密度与可靠性

    三、技术优势与价值贡献

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    四、应用案例与市场拓展

    先进存储芯片：已应用于长江存储 232 层 3D NAND 产线，签订 3 年长期供货协议，为三期工厂 100% 国产化设备核心供应商之一

    逻辑芯片封装：进入国内头部晶圆厂和封测厂，为采用韬定律 (逻辑折叠) 设计的 3D 堆叠芯片提供配套设备

    客户覆盖：包括三星西安、长江存储、长鑫存储等国际国内龙头企业，同时中标京东方第 8.6 代 AMOLED 生产线项目

    五、与 3D 封装核心技术的协同关系

    国林科技不直接参与 TSV 刻蚀、混合键合等核心工艺，而是提供关键工艺材料与设备，与长电科技、通富微电等封测企业形成互补关系：

    3D
    封装层数越多，清洗和氧化工序越频繁，对国林臭氧设备需求越大

    逻辑折叠技术推动的多层有源堆叠，进一步放大臭氧在 ALD 沉积和精细清洗中的应用价值

    随着 Chiplet、HBM 等先进封装技术普及，国林半导体业务有望持续放量

    总结

    国林科技在 3D 封装工艺中扮演
    “洁净保障者” 与 “氧化源提供者”的关键角色，其高纯臭氧与机能水设备是 TSV、混合键合等核心技术实现高良率量产的基础保障。作为国产替代先锋，公司正从成熟制程向先进制程、从存储向逻辑芯片封装加速渗透，深度受益于 3D 封装与逻辑折叠技术的产业浪潮。

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