磷化铟【国金计算机&金属】

海川智能：参股南京集溢，重视磷化铟扩产弹性

【1】#转型-1.3亿参股南京集溢15.3%_自动衡器到化合物半导体材料——公司拟1.3亿元受让南京集溢15.30%股权，后续潜在收并表。标的旗下核心资产大庆溢泰是专精特新“小巨人”、砷化镓衬底单项冠军。——南京集溢25年收入1.35亿、净利-2802万；26Q1收入4076万、净利580万，已扭亏。25年收入主要来自GaAs晶片和4N金属镓，占比分别约84.77%/15.02%

【2】#磷化铟-光通信衬底缺口扩大_400台炉对应11-12亿毛利弹性——供需：3英寸InP衬底26年全球需求约300万片、缺口约40%，27/28年缺口率预计>50%/>60%，紧缺延续到2030年前。——价格：3英寸当前约3000元/片，海外溢价约30%；较2025年Q3的1400-1500元/片涨幅显著。上游铟、磷化铟多晶同步涨价，成本压力向衬底传导，预期后续仍有较大上行空间。衬底在光芯片BOM中占比不高，下游对价格敏感度相对较低。

【3】#产能-光电子砷化镓国内第一全球第四_磷化铟4寸扩产订单排至2026年12月——当下产能：大庆溢泰当前具备年产4英寸光电砷化镓晶片360万片、微电砷化镓晶片3万片、磷化铟晶片3万片、锑化镓晶片1万片、4N镓40吨的生产能力，国内光电子砷化镓细分领域份额第一、全球第四。——扩产：公司投资1.8亿元建设"24万片3寸磷化铟晶片"项目，达产后预计年收入过10亿元；磷化铟产能正由3寸向4寸扩充，订单饱满、排期至2026年12月。依托现有园区土地、厂房与洁净室存量，扩产资本开支与爬坡周期优于行业新建项目。

【4】#客户-GaAs衬底国内市占率超35%_客户覆盖三安/华灿/京东方_InP磷化铟3寸已送样4寸良率攻关中——GaAs 晶片下游用于红黄光 LED 芯片、VCSEL 激光芯片等；4N 金属镓下游用于提纯至 6N、7N 高纯镓。大庆溢泰 GaAs 衬底主要客户包括士兰明镓、晶元光电、兆驰光电、凯迅光电、京东方、华灿光电、三安光电等，国内光电砷化镓细分领域份额超 35%。——磷化铟（InP）晶片为大庆溢泰扩产方向，当前 3 寸、4 寸产品已向部分光通信下游企业送样及小批量交付，6寸处于良率加速爬升阶段；公司投资1.8亿元建设的"24 万片3寸磷化铟"项目达产后，InP 产能将进一步释放，对接国内光芯片客户需求。

联系人：郑元昊/吴晋恺/鲍恩雪/孙恺祈/刘高畅

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