一. 光刻胶概览

光刻胶是由光引发剂、树脂、溶剂及添加剂组成的光敏混合液体，是光刻工艺中用于图形转移的介质材料。

（1）作用：通过曝光发生光化学反应，将掩模版上的电路图形精确转移到晶圆表面。

（2）原理：曝光区域的光刻胶吸收光子后，光引发剂产生活性基团，引发树脂发生聚合、交联或分解反应，使曝光与未曝光区域的溶解速率产生显著差异。

（3）工艺流程：涂覆（涂覆在晶圆表面）→曝光（曝光或未曝光区域溶解）→显影（去除溶解部分，形成图形）→坚膜烘焙（高温固化残留光刻胶）。

1.1 按显示效果分类

（1）正性胶：显影时曝光区域溶解，形成的图形与掩膜版相同；分辨率更高，是半导体先进制程的主流品类。

（2）负性胶：显影时曝光区域固化，形成的图形与掩膜版相反；附着力强、分辨率上限较低，多用于成熟制程、PCB制备。

1.2按曝光波长分类

（1）紫外（UV）：G线（436nm）/I线（365nm），用于成熟制程，如分立器件、模拟芯片。

（2）深紫外（DUV）：KrF（248nm）用于成熟制程、ArF（193nm）用于先进制程。

（3）极紫外（EUV）：EUV（13.5nm）用于7nm以下先进制程。

1.3 按应用领域

分为PCB、面板、半导体光刻胶，技术壁垒逐渐递增。

二. 光刻胶原材料

2.1 光引发剂（光敏剂）

（1）作用：光刻胶中的光敏成分，吸收光子后产生活性基，引发树脂发生聚合或分解反应，决定了光刻胶感光度、分辨率等关键指标。

（2）主要品种：自由基型（用于G/I线胶）、阳离子型（用于DUV胶）、PAG（用于EUV胶）。

（3）海外头部：IGM Resins、巴斯夫、陶氏化学。

（4）国内头部：久日新材、强力新材、扬帆新材、飞凯材料。

2.2 树脂

（1）作用：基体成膜物质，决定其机械强度、附着力与耐刻蚀性。

（2）主要品种：酚醛树脂（G/I线）、聚对羟基苯乙烯（KrF）、丙烯酸酯类（ArF）。

（3）海外头部：住友化学、东洋合成、三菱化学。

（4）国内头部：圣泉集团、万润股份、八亿时空。

2.3 溶剂

（1）作用：溶解树脂和光引发剂，调节粘度，实现光刻胶的均匀涂覆。

（2）主要品种：丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA/PMA）、乳酸乙酯（EL)等。

（3）海外头部：ADEKA、陶氏化学、三菱化学。

（4）国内头部：怡达股份。

2.4 添加剂

（1）作用：优化光刻胶特定性能。

（2）主要品种：品类繁多，如淬灭剂、增塑剂、流平剂、稳定剂等。

三.半导体光刻胶市场格局

全球半导体光刻胶日美垄断格局：日本厂商合计占75%以上份额，美国厂商占12%以上份额。

全球前五大厂商：东京应化（日）、JSR（日）、信越化学（日）、住友化学（日）、杜邦（美）。

国内仅有少数实现高端量产：南大光电（ArF）、上海新阳（KrF/ArF）、鼎龙股份（KrF/ArF）、彤程新材（KrF）、晶瑞电材（KrF）。


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