在今日(6月4日)的股东会上,台积电董事长兼总裁魏哲家透露,台积电目前已建设CoPoS试产线,预计2-3年产量才能达到相当大的规模。他强调,先进封装与新材料技术发展没有捷径,重点在于与客户共同验证,并确保量产效率与良率表现。

本次魏哲家给出的时间点较其此前更为明确,4月魏哲家曾表示,正在搭建CoPoS试产线,预计几年后量产。

台积电的CoPoS技术与关注度高涨的玻璃基板紧密相关。其采用方形面板设计,以玻璃基板取代部分传统材料,意在支持更大尺寸AI与HPC芯片封装需求。

相较于既有CoWoS,CoPoS被看作台积电下一阶段提高先进封装效率与扩大产能的重要方向。CoPoS所需的玻璃材料须具备低热膨胀系数、高频低损耗、高平坦度,以及可进行玻璃穿孔等特性,以降低大尺寸封装可能出现的翘曲与良率挑战,且支持更精细的重布线层制程。

也正是基于玻璃基板的优异特性,产业链竞相加速布局,例如英特尔2023年宣布推出业界首款用于下一代先进封装的玻璃载板,预计2026至2030年间量产。

不久前英特尔拟在美国新墨西哥州里奥兰乔建设首个玻璃基板量产制造基地。之后印度政府宣布,英特尔与3DGS计划在印度东部奥里萨邦投资约33亿美元,建设一座基板制造工厂,聚焦先进封装玻璃基板、高密度互连基板及相关半导体技术,该工厂建成后预计年产玻璃基板约7万片、约5000万个组装单元及近1.3万个先进3D异构集成模块。

值得注意的是,英特尔的玻璃基板技术路线与台积电不同,其Glass-Core路线以玻璃芯板替代ABF有机载板芯层,台积电则是以方形玻璃面板和多层RDL替代传统硅中介层。除了这两种线路之外,产业另一个主要路径则是CPO光电共封装方向,玻璃基板可同时承载高速电互连与低损耗光互连,成为光电共封装的重要底层材料。

东吴证券将玻璃基板称为“AI时代先进封装的新一代底座”。

分析师认为,玻璃基板制造核心可概括为“TGV通孔成型、通孔金属化填充、表面RDL布线、后段检测封装”四大环节。整体看,TGV成孔精度、孔内无缺陷填充、铜层附着力、多层RDL对准精度和冷热循环可靠性,是决定玻璃基板从中试走向量产的核心瓶颈。建议重点关注具备原片配方、TGV加工、金属化填充、RDL布线和客户认证能力的产业链环节。

玻璃基板四大工艺拆解 + 五大量产瓶颈 + 全产业链标的

一、四大核心制造工序(量产全流程)

1、TGV 通孔成型(第一道门槛)

玻璃原片先薄化、抛光、清洗,采用激光改质 + 湿法化学刻蚀打出微米级垂直通孔(孔径 3~50μm);难点:玻璃脆性大,打孔易产生微裂纹、孔径一致性差,高深宽比(>10:1)加工是设备壁垒。

2、通孔金属化填充(良率核心)

玻璃绝缘、铜与玻璃附着力极差,依次镀黏附层→阻挡层→铜种子层,底向上电镀填孔;量产痛点:孔内空洞、填铜凹陷、冷热循环铜层脱落,是量产报废首要原因。

  • 3、表面 RDL 布线(高密度互连)



  • PVD 沉铜 + 光刻显影 + 半加成法做多层重布线,对标 CoPoS 面板级大尺寸布线;瓶颈:多层 RDL 层层对准精度、玻璃基板受热翘曲造成线路错位。


  • 4、后段检测封装(可靠性收口)


  • AOI 外观检测 + 电性导通测试 + 高低温冷热冲击可靠性验证,筛选分层、断线、通孔不良品,适配 AI/HPC、CPO 光电共封装场景。

  • 二、五大量产核心瓶颈(决定从中试到规模化落地关键)

    1. 5、冷热循环可靠性:高低温环境反复测试后基板开裂、线路失效。

    1. 4、多层 RDL 对准精度:大尺寸方形玻璃受热翘曲,多层布线对位偏移;

    1. 3、铜层附着力:玻璃 / 铜热膨胀系数相差 5 倍,温变易剥离分层;

    1. 2、孔内无缺陷填充:TGV 深孔内部空洞、填铜不均是行业共性报废点;


    1. 1、TGV 成孔精度:高深宽比微孔均匀度、孔壁光洁度,制约大面板良率;



  • 三、分环节 A 股龙头(贴合:原片配方→TGV 加工→金属化→RDL→检测全链条)


    1. 1、上游:玻璃原片配方(壁垒最高,材料根基)


    1. 力诺药包 (301188):国内稀缺中硼硅基材同源自研配方,技术路线对标德国肖特压延工艺,2021 年启动 TGV 封装玻璃原片研发;150×150mm 基板已完成客户可靠性测试,510×515mm(台积电 CoPoS 标准大板尺寸)在研验证,依托二十余年康宁合作资源送样头部封测 / 芯片厂,中试窑炉 2026 年点火,是 A 股少数从源头配方切入 AI 封装玻璃原片标的。


    1. 凯盛科技(600552):依托央企玻璃材料院所,超薄无碱玻璃原片配方成熟,侧重显示转半导体基材,配套中游 TGV 加工厂试样供货。


    1. 彩虹股份(600707):显示玻璃原片龙头,布局低膨胀半导体玻璃配方研发,现阶段以实验室试样、小批量送样为主。


    1. 2、中游:TGV(微通孔) 全制程加工(全链条稀缺:TGV + 金属化 + RDL 一体化)


  • 沃格光电 (603773):A 股成熟全制程龙头,玻璃薄化→TGV 钻孔→电镀填铜→多层 RDL 一体化落地;武汉 10 万㎡量产线,成都 8.6 代面板产线 2026 年末投产,最小孔径 3μm、深宽比 15:1,样品送英伟达、英特尔、华为头部芯片客户认证。

  • 美迪凯 (688079):完整 TGV 全流程自研(激光成孔 + 湿法蚀刻 + 孔内镀膜电镀 + CMP + 平面 RDL),最小孔径≥5μm、深宽比最高 50:1;和日本 AGC 合作原片,12 寸玻璃晶圆批量出货,310×310mm/515×515mm 大板基板小批量供货,产线 2025 年通过头部 Fab 验厂,切入先进封装供应链。

  • 长信科技 (300088):依托成熟 UTG 超薄玻璃工艺技术平移,打通玻璃减薄 - TGV 成孔 - PVD 镀层 - 通孔电镀 - CMP 抛光 - RDL 光刻布线全制程;在建 TGV 中试线,2026 年底规划小批量送样,适配超薄玻璃基 AI 封装 / CPO 基板,独有超薄基材 + 光学镀膜一体化配套能力。


  • 京东方 A (000725):绑定康宁布局大板玻璃基板,9.9 亿中试线在建,同步覆盖原片自研 + TGV 加工 + RDL 布线,量产规划 2027~2028 年。


  • 3、TGV 成孔激光设备(TGV 工序刚需)


  • 海目星 (688559):国内唯一超快激光器自研 + 激光改性 + 湿法蚀刻全闭环TGV 设备厂商;采用 LIDE 激光改质 + 化学刻蚀主流路线,最小孔径≤3μm、深宽比 150:1,整版打孔良率>99%,设备送样沃格、美迪凯等 TGV 加工厂,切入台积电 CoPoS、英伟达算力封装供应链,适配大板 Panel 级玻璃基板量产需求。

  • 帝尔激光 (300776):TGV 激光打孔设备批量交付,参股三叠纪,国内首条全自动板级 TGV 产线配套设备,深宽比可达 200:1。


  • 德龙激光 (688170):晶圆 / 面板 TGV 激光开槽设备小批量供货。


  • 大族激光 (002008):Panel 大尺寸玻璃基板 TGV 激光设备批量出货,兼顾晶圆 + 大板两种加工形态。



  • 4、金属化配套(电镀液 / 电镀设备,解决填孔 + 铜附着力)



  • 海目星 (688559): 湿法蚀刻全闭环TGV 设备厂商;采用 LIDE 激光改质 + 化学刻蚀主流路线,最小孔径≤3μm、深宽比 150:1




  • 东威科技(688700):TGV 专用垂直电镀设备,高深宽比填孔设备;



  • 天承科技 (688603):TGV 电镀添加剂,改善铜层附着力、消除孔内空洞。







  • 5、RDL + 后端检测



  • 兴森科技 / 五方光电:RDL 线路研发 + 玻璃基板样品;

  • 长电科技/晶方科技/汇成股份:封测端,玻璃基板后端可靠性验证、封装落地。





  • 四、产业时间锚定(结合台积电 2026.6 股东会口径)



  • 2026 年:中试 + 小批量送样,TGV 工艺持续打磨五大瓶颈,国产头部小批量出货;

  • 2027 年:小规模量产,良率爬坡突破关键瓶颈,CoPoS 小规模验证;

  • 2028~2029:台积电 CoPoS 规模化放量,玻璃基板正式进入 AI 芯片主流供应链。




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