OE光引擎是AI光互连方案的决定性功能单元,承载电信号与光信号双向转换。2026年6月英伟达首款CPO交换机Quantum-X Q3450-LD向云服务商Lambda完成量产交付——CPO从工程样片跨入规模部署。TrendForce集邦咨询预判CPO/NPO市场规模自2025年约1亿美元跃至2030年逾390亿美元;大摩估测2027年光引擎出货量600-700万只,2028年进入爆发期。技术端,英伟达NVL576架构将单GPU配套OE从2个推升至35个,量价共振路径明确。供给端,CW激光器产能吃紧(设备交付周期10-22个月),InP衬底缺口3-4倍,FAU全球产能极度稀缺——瓶颈即壁垒。

一、技术原理与CPO架构演进

1.1 OE在光链路中的枢纽定位

以英伟达Quantum X800 CPO交换机为典型,完整光链路:

交换ASIC →OE(光电转换)→ FAU(光纤阵列单元) → MPO连接器 → 保偏光纤/MPO跳线 → 外置光源ELS/前面板端口

OE上游承接交换ASIC 224Gbps SerDes电信号,下游通过FAU将光信号以亚微米精度耦合至光纤阵列——链路性能的决定性关卡。

1.2 三代CPO架构

架构
技术特征
代表平台
Type I
OE分布于ASIC外围,有机基板/PCB
Broadcom Bailly 51.2T
Type II
OE与ASIC共置硅中介层
NVIDIA Quantum-X
Type III
OE与ASIC 3D垂直堆叠
台积电COUPE(SoIC-X)

Quantum-X800单机拆解:4颗28.8T交换ASIC × 6个小芯片 × 3个光引擎 × 8光波导通道 =72个OE,千余根光纤经FAU精密耦合。实测数据:单端口功耗从可插拔30W降至9W(-70%),链路损耗从22dB压至4dB,DSP一并移除。

1.3 单GPU OE配套量的阶跃式增长

架构阶段
时间
典型产品
OE/机架
OE/GPU
CPO渗透率
铜缆+可插拔
2025-2026
Hopper/Blackwell
144
2
<5%
CPO导入
2027
Rubin Ultra NVL576
~2,526
~35
~20%
CPO爆发
2028
Feynman
更高密度
30-40%
CPO成熟
2030+
下一代架构
数万
50+
>50%

NVL72→NVL576,OE/机架从144→2,526,约17.5倍跃升。这是OE市场长期增长曲线的底层引擎。


二、市场规模与驱动因子

2.1 CPO/NPO全球市场预测

年份
CPO/NPO规模
OE出货量
关键节点
2025
~1亿美元
数十万只
CPO商用前夜
2026
~15-20亿美元
100-200万只
Q3450-LD量产交付
2027
快速增长
600-700万只*
Rubin Ultra NVL576落地
2028
爆发期开启
Feynman架构放量
2030
>390亿美元数亿只
Scale-up渗透率>50%

*大摩2026年6月研报数据。

2.2 机构研判交叉验证

  • TrendForce集邦咨询(2026.6.15):CPO/NPO从2025年1亿美元→2030年390亿美元+
  • Morgan Stanley大摩(2026.6):2027年OE出货600-700万只,涵盖Scale-up与Scale-out;2028年起爆发,单GPU光学引擎从2个飙升至70个
  • 高盛:年内两度上调800G出货预测(从2500→3350万只,+58%)
  • LightCounting:2030年AI集群光互连年销售额有望冲击1000亿美元
  • 东兴证券:CPO为光模块行业确定趋势,英伟达Spectrum-X硅光2026年6月全面量产后,CPO有望2027年规模化部署
  • 国金证券:台积电COUPE 2026年量产,系CPO从0到1落地的关键里程碑

2.3 三重弹性驱动

算力密度:GPU从NVL72→NVL576演进,互联带宽呈指数增长,铜缆物理极限已触顶。能效比:CPO单端口9W vs 可插拔30W,单机架省电3kW,AI数据中心电力约束下ODM切换动力强劲。信号完整性:224Gbps+ SerDes下,PCB长距布线的信号损耗不可接受——OE近封装从选项变为刚需。


三、产业链深度拆解

OE产业链分两层:(一)上游核心芯片/器件/材料——OE内部;(二)精密光器件与制造——OE外部与封装。

3.1 光芯片PIC:CW激光器——OE发动机

技术特性

CW连续波激光器为CPO/NPO提供稳定光源,是所有硅光方案的"心脏"。电流方案基于磷化铟InP材料体系(DFB/EML),1.6T及以上速率场景——InP是唯一成熟商用路径,无替代材料。

供需格局

高速CW激光器产能已极度吃紧,MOCVD等制造设备交付周期10-22个月,扩产节奏远落后于需求爆发。AMD近期大幅提速CW激光器采购,正就高功率CW激光芯片谈判大规模采购协议——意在规避英伟达生态绑定风险。光源"保交付"成为2026年光通信产业链核心瓶颈。

国内布局

源杰科技:国内CW激光器龙头,已通过英伟达认证,2026年CPO光源出货预计百万只+。300mW高功率CW光源直指CPO技术咽喉,IDM全链条构筑护城河,100G EML突破海外垄断,毛利率回升至54.76%。单笔6302万元订单占上半年数据中心收入60%。

仕佳光子:CW光源(OE核心外置部件)+ MPO连接器 + FAU三线并进,覆盖OE+MPO全链条。70-100mW CW泵浦激光器小批量出货,更高功率产品客户验证中。收购福可喜玛完善MT插芯(MPO核心部件)布局。

三安光电:化合物半导体平台延伸至CPO场景,可提供CW光源、EML、Micro LED光芯片。400G/800G光芯片批量出货,1.6T已送样验证。Micro LED产品送样国内外头部模组厂。

长光华芯:国内光芯片布局厂商,推进高速光通信激光器芯片研发与产业化。

3.2 磷化铟InP衬底:产业链底层瓶颈

战略地位

InP衬底是高速激光器芯片核心原材料。1.6T/CPO时代,无论EML还是硅光方案,核心光源必须基于InP衬底。单台Quantum-X交换机含18个硅光引擎,光源全部依赖InP。

全球缺口

  • 需求:260-300万片/年(4英寸等效)
  • 产能:~75万片/年
  • 缺口:3-4倍
  • 垄断:住友(日本)+ AXT(美国)占高端产能90%以上

随CPO放量,缺口持续扩大。

国内突破

云南锗业:全球第三位掌握大尺寸InP制备技术,子公司鑫耀半导体已量产2-4英寸InP晶片(15万片/年),扩产后达45万片/年。产品覆盖国内下游头部厂商,国产替代+涨价双重受益。

天通股份:国内少数可量产高端InP衬底企业,打破住友/AXT海外垄断。

宿迁联盛(新进入):2026年6月公告拟设合资公司,一期年产12万片4-6英寸InP衬底,二期扩至40万片/年。

九峰山实验室:国内首次实现6英寸InP基PIN探测器和FP激光器外延生长工艺突破,性能指标达国际领先,为6英寸InP光芯片规模化制备筑基。

3.3 光纤阵列单元FAU:壁垒最高的无源器件

技术壁垒

FAU是CPO交换机中技术壁垒最高的组件——每个OE的8个光波导通道均须经FAU以亚微米精度耦合至光纤。单台Quantum-X800内含千余根光纤通过FAU精密匹配。全球能量产的企业屈指可数,供给极度稀缺。

国内格局

天孚通信:国内OE集成龙头,提供FAU+OE全套方案,英伟达CPO核心供应商——也是目前唯一进入英伟达供应链的FAU供应商,在这一环节实享独家供应地位。2026年OE相关收入占比超30%,光引擎封装良率95%(行业平均75%),1.6T硅光引擎良率90%。

致尚科技:日本Senko核心代工厂,MPC金属PIC连接器独家合作方。FAU批量出货,越南工厂2026Q1投产,2026年光通信产值目标10亿元。越南基地全部达产后产值12亿元。MPC产品已通过客户认证,2027年爬坡量产。

太辰光:康宁核心合作伙伴,CPO FAU、Shuffle Box核心供应商,Google FAU核心供应商,2026年产能翻倍。

炬光科技:硅光透镜、V-groove核心供应商,产品应用于FAU和IO侧,单OE价值量50美元+。

光库科技:高密度高保偏光纤阵列准直器技术指标居国际先进水平。

腾景科技:FAU光纤阵列CPO光互联组件推进开发导入中。武汉子公司已完成800G/1.6T光引擎样品生产。

大立光(台湾):宣布FAU为除手机镜头外第二大业务,自主设计制造FAU生产设备。

舜宇光学(香港):凭垂直整合能力切入FAU,定位"光学+"战略核心组件。

3.4 封装与制造:良率决胜负

三大瓶颈

大摩明确指出CPO量产面临三关:①光引擎互连良率天花板偏低;②交换ASIC与光学组件共封装集成难度高;③整机综合成本对比可插拔尚未具备充分性价比。这是2027年放量不及乐观预期的根因。

天孚通信是封装环节的核心力量——光引擎良率95%、1.6T硅光引擎良率90%,均远超75%行业均值。山西证券指出,FAU、光引擎封测、ELS模组全线制造能力完备,2027年后Scale-out/Scale-up CPO/NPO收入有望起量。


四、全球竞争格局速览

4.1 国际阵营

企业
定位
核心能力
量产进度
英伟达
平台定义者
Quantum-X/Spectrum-X,定义OE规格
Q3450-LD已交付(2026.6)
台积电
硅光制造平台
COUPE平台,SoIC-X 3D封装
2026年量产
博通
Type I架构领导
Bailly 51.2T CPO交换机
持续迭代
英特尔
硅光集成先驱
硅光子收发器技术积累
推进中
AMD
需求侧驱动
MI系列驱动光互连需求
加速CW采购

4.2 国内分工图

光芯片PIC/CW激光器:源杰科技(龙头,英伟达认证)、仕佳光子(CW+MPO+FAU全链)、三安光电(化合物平台延伸)、长光华芯

InP衬底:云南锗业(全球第三大尺寸技术)、天通股份(高端量产)、宿迁联盛(新进入,规划40万片/年)

FAU/MPO/光连接:天孚通信(OE集成龙头,英伟达独家FAU)、致尚科技(Senko代工,越南12亿产值)、太辰光(康宁伙伴,产能翻倍)、炬光科技(透镜/V-groove)、光库科技(高保偏阵列)、腾景科技(FAU导入中)

封装与制造:天孚通信(FAU+OE全套,良率95%)


五、投资逻辑与风险提示

5.1 核心逻辑

量价齐升:单GPU OE从2个→35个→50+个,叠加OE出货量从百万级→数亿只,市场规模从1亿→390亿美元——复合增速远超半导体行业平均水平。供给瓶颈溢价:CW激光器产能吃紧(设备交期10-22月),InP衬底缺口3-4倍,FAU产能极度稀缺——有产能者享定价权。认证壁垒:英伟达CPO供应链认证周期长、门槛高,先入者享份额锁定。国产替代窗口:InP衬底、CW激光器、FAU三环节均有国产替代逻辑,叠加供应链安全诉求。

5.2 风险因素
  1. 量产节奏延后:大摩已指出CPO 2027年放量逊于此前乐观预期,大规模商业化可能推至2028-2029年。瓶颈在于良率爬坡与成本曲线。
  2. 异质集成良率:OE与ASIC纳米级精度异质集成良率提升面临工程瓶颈,行业整体良率仍有大幅提升空间。
  3. 性价比尚未充分建立:CPO整机成本对比可插拔方案短期内优势有限,渗透率提升节奏取决于规模效应曲线。
  4. 替代技术分流:LPO、OCS光交换、MOSAIC(microLED)等方案可能分流部分CPO需求。
  5. 供应链地缘风险:InP衬底90%产能在海外(日本住友+美国AXT),地缘博弈可能扰动供应链稳定性。

六、图表

图1:OE光引擎产业链全景图2:CPO渗透率与OE需求演进(2025-2030)
图3:全球CPO/NPO市场规模预测
图4:OE光引擎价值链拆分
图5:CPO vs 传统方案光链路及功耗对比
本报告基于公开信息整理,仅供参考,不构成投资建议。投资者应独立判断,自行承担投资风险。报告中的数据、观点可能存在滞后性,请以最新官方信息为准。

免责声明:本网站提供的所有数据及资讯(包括第三方机构提供的信息)仅作交流学习及参考用途,不构成任何投资建议或交易要约‌。