京瓷因稀土短缺减产IGBT陶瓷管壳,赛英电子迎来泼天富贵
摘要:北交所存在一只逻辑与爱迪特一样简单的公司赛英电子。日本陶瓷基板与管壳的全球龙头京瓷因氧化钇短缺(国内限制出口)而大幅减产IGBT功率器件陶瓷管壳,作为市场份额仅次于京瓷的赛英电子,充分受益于IGBT陶瓷管壳份额提升和价格上涨,其逻辑与爱迪特(氧化锆)、旭光电子(氮化铝)一致。
一、京瓷因为重稀土短缺被迫减产高端IGBT陶瓷管壳
日本京瓷是全球陶瓷基板与管壳的绝对龙头,其生产所必需的氧化钇等中重稀土93%依赖中国进口。2026年2月中国加强出口管制后,审批几乎停滞,京瓷库存仅够维持10-15天。2026年3月起,京瓷高端产线已减产25-30%。由于陶瓷管壳(陶瓷封装管壳)与重稀土(氧化钇、氧化镝、氧化铽)之间存在紧密的“材料-工艺-供应链”关联。重稀土是陶瓷管壳生产中的关键“烧结助剂”,重稀土的添加极大改善了陶瓷管壳的力学、电学、光学和热学性能,使其具备高气密性、高热导率、高机械强度,并能与芯片(如Si)实现热膨胀系数匹配,满足高功率、高频、高速等高端封装需求。在没有稀土的情况下,京瓷被迫减产IGBT陶瓷管壳。
二、IGBT陶瓷管壳:千亿人民币的庞大市场
陶瓷管壳、封装散热基板等功率半导体器件产品上游主要为铜材、瓷件等原材料供应商,下游为晶闸管、IGBT、IGCT等功率半导体模块厂商。应用范围覆盖特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领域。晶闸管:2024年全球晶闸管行业市场规模约为10.8亿美元,预计2025-2033年市场规模将以3.6%的年均复合增长率增长至14.8亿美元。中国晶闸管行业市场规模自2020年开始持续增长,由2020年15.8亿元增长至2024年32.8亿元,年复合增长率为20.03%。IGBT模块:全球市场规模从2018年的43.7亿美元增长到2022年的67亿美元,预计2029年将达到145亿美元,年复合增长率为11.7%。
三、赛英电子:份额仅次于京瓷,是中国和日美主要功率半导体企业的核心供应商
京瓷IGBT压接式陶瓷管壳全球市占37%,赛英30%。
公司专注大功率半导体器件用陶瓷管壳研发制造二十余年,是国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、江苏省民营科技企业及无锡市瞪羚企业,承担并完成了7项国家级及省级科研项目,截至2025年12月31日,公司一共拥有53项已授权专利,其中发明专利9项,实用新型专利44项,与中车时代、英飞凌、日立能源等功率半导体龙头企业保持长期密切的合作关系。
公司自2002年成立以来,专注于功率半导体器件关键部件领域,不断进行技术积累,主要产品由设立之初比较单一的普通整流管、晶闸管用陶瓷管壳,发展至如今涵盖1-6英寸多规格晶闸管、压接式IGBT、GTO、IGCT等多种大功率器件用陶瓷管壳以及应用于焊接式IGBT功率模块的平底型、针齿型封装散热基板等多元产品体系,持续增加对市场主流需求的覆盖,综合实力不断增强。客户方面,公司作为艾赛斯、中车时代、东芝和英飞凌等行业头部企业的主要压接式IGBT陶瓷管壳供应商,相关产品市占率亦处于行业前列
四:日本京瓷被迫减产,赛英电子迎来泼天富贵
京瓷IGBT压接式陶瓷管壳全球市占37%,赛英30%,国内唯一同级别量产厂商,已过英飞凌认证。
京瓷收缩车规、IDC电源、高压IGBT管壳供货后,英飞凌、斯达半导、中车时代半导体定向加大采购,补齐京瓷空缺份额,是该细分订单唯一主要承接方。
当前的功率半导体有点类似MLCC。
全球领先的功率半导体公司(STM、On Semi、Infineon、Rohm、Vishay)的资本开支在2023和2024年连续下降,2026年虽然预计有温和回升,但增幅也就11%左右,跟历史高峰比根本不算什么。更关键的是中国本土厂商的动向:士兰微、芯联集成这些原本做功率器件的IDM和代工厂,现在纷纷把资源转向AI电源管理(PMIC等),未来三年功率分立器件(IGBT、MOSFET)的产能增加非常有限。
当所有人都去追AI的风口,传统功率器件的产能反而被晾在了一边。这种产能错配,是价格上涨的真正推手。
MOSFET和IGBT量价齐升,交期全面拉长,赛英电子在行业爆发,国产替代的双重利多加持下,迎来泼天富贵
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