国际半导体产业协会（SEMI）发布最新报告称，2025年全球半导体制造设备销售额达到1351亿美元，较2024年的1171亿美元增长15%，连续第三年创下历史新高。这一数据较SEMI在2025年12月发布的1330亿美元预测值上修了约1.6%，反映出AI需求在2025年四季度末仍保持超预期增长态势。从全球各主要区域的表现来看，2025年半导体设备支出仍集中在亚洲，中国大陆、中国台湾和韩国合计占全球市场的79%，而2024年这一比例为74%，集中度进一步提升。具体来说，2025年，中国大陆的半导体设备支出仍接近历史高位，达到493亿美元，较2024年仅下降0.5%，中国大陆芯片制造商继续投资成熟节点并选择性布局先进产能。中国台湾的半导体设备支出同比大涨90%，达到了创纪录的315亿美元，反映出AI和高性能计算驱动的产能扩张。建议关注：天数智芯、芯原股份、海光信息、中芯国际。

行业动态：

1、积塔半导体与英飞凌签署项目合作协议：近日，积塔半导体在上海举办2026半导体技术创新研讨会。在该次研讨会上，积塔半导体与英飞凌正式签署项目合作协议，双方将围绕嵌入式非易失存储等领域深化技术协作，共同推动特色工艺代工能力升级。据介绍，在存储技术布局方面，积塔半导体已形成eFlash、SONOS、RRAM三条路线并行，为客户提供多元化选择。此次引入的SONOS技术，以其工艺兼容性好、集成成本低、量产数据充分的特点，进一步丰富了积塔在高可靠且成本敏感场景下的解决方案。依托持续完善的工艺体系，积塔可向客户提供“存储+控制+驱动+功率”的一站式代工服务，实现从单一工艺优势到方案化平台能力的跃升。公司官网显示，积塔半导体是专注于半导体集成电路芯片特色工艺的研发和生产制造基地。公司在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区，已建和在建产能共计30万片/月（折合8英寸计算），其中6英寸7万片/月、8英寸12万片/月、12英寸6万片/月、碳化硅1万片/月，为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供微控制器、模拟电路、功率器件、传感器等核心芯片特色工艺制造平台和技术服务。公司拥有一流的技术研发团队，以及近40年车规级芯片制造质量管理和规模量产经验，公司现有员工4700余人。

2、中国团队研发，新型高性能二维半导体材料获重要突破：国防科技大学与中科院金属研究所联合团队在二维半导体晶圆级生长及可控掺杂领域取得突破，成果发表于《国家科学评论》。针对二维半导体因晶格缺陷导致自发电子掺杂和费米能级钉扎、长期存在N型多P型少且P型性能差的结构性失衡问题，研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi₂N₄（氮化钨硅）薄膜可控生长，使单晶区域尺寸达亚毫米级，生长速率较现有文献提升约1000倍。该材料兼具高空穴迁移率、高开态电流密度、高强度、良好散热性及化学稳定性，综合性能在同类二维材料中表现突出，有望为后摩尔时代自主可控芯片技术提供关键材料支撑，并在二维半导体CMOS集成电路领域开辟新途径。

3、转为长期协议，三星和SK海力士将重置大型科技公司存储器合同：随着内存成为超大规模数据中心自主研发人工智能芯片和大规模基础设施建设的关键瓶颈，长期供应协议正迅速成为新的行业标准，其期限也比之前预期的更长。据Aju News 报道，三星和 SK 海力士正在逐步放弃与全球大型科技公司签订的一年期短期合同，转而采用为期三至五年的纯长期供应协议模式。早于韩国同行，美光科技在3月份的财报电话会议上就已表示，已签署首份五年战略客户协议（SCA），并正与多家客户积极洽谈。据Aju News报道，三星电子已采取一项新政策，自今年起，所有新合同均需签订至少三年的长期协议（LTA）。值得注意的是，Aju News指出，三星有望与包括AMD、微软和谷歌在内的几家主要客户达成稳定的三年内存供应协议，这些客户目前正处于谈判后期阶段。Aju News还指出，尽管三星此前一直接受超短期协议（甚至按季度签订），但该公司现在已决定将其供应框架过渡到基于长期协议（LTA）的模式。与此同时，据了解，SK海力士也在与谷歌洽谈一项为期五年的DRAM长期供应协议。据Aju News报道，双方的讨论还包括将协议延长两年，前提是下一代HBM的供应能够到位，因为SK海力士目前是谷歌HBM3E的主要供应商。报道还指出，谈判最初预计将于今年晚些时候完成，但现在看来很可能在今年上半年就达成协议。据《韩京报》报道，SK海力士与微软就一项多年期DDR5长期供应协议的协调工作也已进入最后阶段。该协议价值数万亿韩元，预计将从今年开始生效，为期三年。

4、三星电子2026年Q1业绩指引创历史新高：4月7日，三星电子（Samsung Electronics）正式发布2026年第一季度未经审计业绩指引，交出史上最强单季成绩单。数据显示，一季度合并销售额约133万亿韩元（约合人民币6065亿元），同比增长68.1%；合并营业利润约57.2万亿韩元（约合人民币2611亿元），同比暴增755%，远超市场预期。本次业绩指引基于韩国国际财务报告准则（K-IFRS），盈利区间为57.1万亿-57.3万亿韩元，中位数达57.2万亿韩元。值得关注的是，一季度营业利润已超越2025年全年43.6万亿韩元的水平，较2025年第四季度20.07万亿韩元环比增长185%，创下韩国企业单季盈利新纪录。业绩爆发核心源于AI驱动的存储芯片需求激增。受AI服务器产能持续抢购影响，HBM、DRAM、NAND闪存量价齐升，三星作为全球存储龙头，HBM业务营收同比增超300%，存储部门成为绝对利润主力。公司高端产能向高附加值产品倾斜，老旧产线收缩策略成效显著，毛利率持续攀升。三星明确，本次为初步业绩指引，完整财报（含净利润、部门明细、毛利率及电话会）将于4月23日发布。业内分析认为，AI算力需求长期旺盛，存储芯片涨价周期有望延续至2026年下半年，三星盈利或维持高位运行。

5、2025年全球半导体设备市场：中国大陆支出居第一，中国台湾增速最高：当地时间4月7日，国际半导体产业协会（SEMI）发布最新报告称，2025年全球半导体制造设备销售额达到1351亿美元，较2024年的1171亿美元增长15%，连续第三年创下历史新高。这一数据较SEMI在2025年12月发布的1330亿美元预测值上修了约1.6%，反映出AI需求在2025年四季度末仍保持超预期增长态势。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示：“2025年创纪录的半导体设备账单达到1350亿美元，凸显了随着人工智能加速对前沿逻辑、先进内存和高带宽架构需求的推动，行业建设的规模和紧迫性。从晶圆制造投资到先进封装和测试的快速发展，全球生态系统正在扩展能力和能力，以支持下一波创新浪潮。”展望2026年，SEMI在2025年12月发布的预测报告中曾预计，全球半导体设备销售额将继续增长至1450亿美元，2027年进一步攀升至1560亿美元，连续三年刷新历史纪录。增长的核心驱动力将来自三个方面：一是台积电、三星、英特尔在2nm及以下节点的资本开支竞赛；二是HBM产能扩张，三星、SK海力士、美光均计划在2026年大幅扩产HBM产线；三是先进封装产能紧缺持续，台积电CoWoS、三星I-Cube等封装技术的产能扩张将带动相关设备需求。不过，行业也面临潜在风险。美国拟推出的MATCH Act若通过，可能进一步限制对华先进设备出口，影响全球设备供应链；此外，AI投资若出现阶段性降温，也可能导致设备订单波动。

6、联电公布2026年3月及一季度营收 一季度营收突破600亿新台币：4月8日，晶圆代工大厂联华电子正式公布2026年3月份合并营收报告，核心经营数据表现亮眼，一季度营收成功突破市场预期。公告数据显示，联电2026年3月份合并营收达新台币208.3亿元，较2025年同期的新台币198.6亿元成长4.89%，单月营收保持稳健增长态势。从季度表现来看，2026年第一季度联电累计合并营收达到新台币610.37亿元，较2025年同期的新台币578.6亿元年增5.49%，成功突破先前市场普遍预估的600亿元大关，展现出强劲的经营韧性。作为全球知名晶圆代工厂商，联电专注于集成电路制造服务，业务涵盖逻辑芯片、电源管理芯片、射频芯片等多个领域，其营收表现与全球半导体产业景气度密切相关。此次一季度营收超预期，得益于公司差异化经营策略，尤其是在成熟制程领域的稳定需求支撑。公开信息显示，联电此前在2025年第二季财报中就曾提及，22/28纳米晶圆营收占比已提升至40%，创下历史新高，该制程领域的强劲需求成为公司营收增长的重要动力。结合此次营收数据来看，成熟制程的持续发力，有效对冲了行业波动影响，推动公司营收稳步增长。

7、总投资20亿元 三菲化合物半导体光芯片制造基地项目落户太仓：4月8日，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目正式签约落户江苏省太仓市城厢镇，项目计划总投资达20亿元，将聚焦化合物半导体光芯片研发与制造，填补区域相关产业空白，助力太仓打造半导体产业集群。化合物半导体光芯片是光通信、5G通信、人工智能、物联网等新兴领域的核心元器件，市场需求持续攀升，也是我国半导体产业自主可控的关键环节。此次落户的三菲化合物半导体光芯片制造基地项目，将分两期推进建设，其中一期项目总投资10亿元，预计于2026年8月正式开工建设，2028年实现投产运营，达产后可实现年产值超10亿元，进一步完善国内化合物半导体光芯片产业链布局。作为项目落户地，太仓市在半导体产业领域具备良好的产业基础和区位优势，近年来持续聚焦集成电路、半导体等战略性新兴产业，通过完善配套设施、优化营商环境，吸引了一批优质半导体项目集聚。此次三菲化合物半导体项目的落户，将进一步丰富太仓半导体产业生态，推动产业向高端化、精细化升级，提升区域半导体产业核心竞争力。公开信息显示，三菲半导体在光芯片领域拥有深厚的技术积累，此前曾参与临港产业区钻石园相关项目签约，聚焦光芯片IDM领域布局。此次在太仓投资建设制造基地，是企业扩大产能、拓展市场的重要举措，将依托太仓的产业优势和政策支持，打造集研发、生产、测试于一体的化合物半导体光芯片产业基地。业内人士表示，当前我国化合物半导体产业正处于快速发展期，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目的落地，不仅将助力企业抢占市场先机，更将带动上下游配套产业集聚，推动我国化合物半导体光芯片领域的技术进步和产能提升，为半导体产业自主可控注入新动力。太仓市相关负责人表示，将全力做好项目服务保障工作，协调解决项目建设、投产过程中的各类问题，为项目顺利推进保驾护航，推动项目早日建成见效，助力区域半导体产业高质量发展。

8、韩美半导体将推出第二代混合键合机原型：4月9日，韩美半导体（Hanmi Semiconductor）正式对外披露，公司计划于2026年内推出用于下一代高带宽内存（HBM）生产的“第二代混合键合机”原型机，并同步启动与客户的合作验证。此外，公司还明确规划，将于2027年上半年启动混合键合机专用工厂的运营。作为全球HBM热压键合机市场的领先企业，韩美半导体此次布局旨在抢占下一代HBM封装设备的技术制高点。混合键合技术通过铜-铜直接键合取代传统焊料凸块，可大幅提升芯片互连密度、数据传输速度并降低功耗，是实现20层及以上高层数HBM量产的关键技术，也是AI算力爆发背景下半导体设备领域的核心竞争方向。韩美半导体早在2020年就推出了第一代HBM混合键合机，积累了丰富的技术研发与验证经验。此次即将推出的第二代原型机，整合了初代设备的技术优势，在纳米级精度、工艺稳定性和产能 yield 等方面实现全面升级，其对准精度可达±100纳米，可对标全球行业标杆水平，适配下一代HBM芯片面积扩大、堆叠层数增加的发展需求。在产能布局方面，韩美半导体已启动混合键合机工厂建设，该工厂位于韩国仁川 Juan 国家工业园区，总投资达1000亿韩元（约合3400万美元），建筑面积14570平方米，将配备顶级的100级洁净室，以满足纳米级超精密制造需求，计划2027年上半年正式投产运营。当前，韩美半导体在全球HBM热压键合机市场占据71.2%的主导份额，核心客户包括SK海力士等头部存储厂商。此次推出第二代混合键合机并布局专用工厂，是公司“巩固现有优势、抢占未来赛道”的双线战略体现，既能衔接当下HBM技术迭代需求，也为2029年混合键合技术大规模量产做好准备，将进一步强化其在半导体设备领域的市场地位，助力全球HBM产业升级。

9、Nippon Shokubai宣布扩产半导体材料：4月9日消息，据《日经新闻》报道，受益于人工智能（AI）普及所带动的需求攀升，日本材料大厂NipponShokubai（日本触媒）宣布将投资数十亿日元，通过姬路制作所（兵库县姬路市）扩增产线，以增产半导体封装等“后段制程”所需的半导体材料。报道称，Nippon Shokubai将从2026年度起，在姬路制作所增产多项半导体材料，其中最核心的产品为“二氧化硅（Silica）微粒子”。该材料的主要作用是抑制填补芯片和载板间隙的树脂因受热而膨胀，是先进半导体封装工艺中的关键材料之一。Nippon Shokubai电子与环境解决方案事业部副部长岩井邦浩表示：“半导体高性能化，带动了需求的增长。”他指出，随着AI芯片性能持续提升，单一载板上搭载的芯片数量不断增加，这对封装材料的散热和稳定性提出了更高要求，从而推动了“二氧化硅微粒子”订单的增长。Nippon Shokubai已将半导体相关材料定位为“解决方案事业”的核心增长领域。根据公司2025年发布的中期经营计划，公司正集中资源进行业务组合转型，将重点投资于特种化学品、电子材料和电池等高增长领域。Nippon Shokubai表示，其半导体材料等“电子材料事业”业绩稳健，计划在2027年度将获利提高至65亿日元，较2024年度暴增80%。公司正以2030年为远景目标，力争在2027财年实现营业利润350亿日元、ROE超过7%的经营目标。在半导体材料领域，Nippon Shokubai利用其在显示材料领域积累的光学控制和微粒子设计技术，持续开发用于先进封装的新材料。公司计划通过扩大半导体和电池等高增长领域的业务，推动盈利能力的持续提升。

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