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2026年以来，铟价从年初约2800元/千克起步，1月涨至4750元，2月突破4900元，3月中旬均价约4950元/千克，创下近十年新高。

这轮上涨，传统的面板需求只是背景板。真正的推手，是AI数据中心。传导链条是这样的：AI数据中心→高速光模块→磷化铟衬底→铟。

链条上的每一个环节都在经历需求的翻倍式增长，而被挤在最狭窄通道里的那个瓶颈，就是磷化铟。没有磷化铟，AI数据中心跑不动

AI数据中心内部的数据吞吐量有多大？可以这样理解：一个机架需要几百个光模块，一个超大规模数据中心就要数百万个激光器组件。产生光信号的核心器件是激光器。在AI数据中心普遍采用的1310nm和1550nm高速光模块中，无论是EML激光器还是CW激光器，都必须通过在磷化铟衬底上外延生长半导体层来制造。没有磷化铟，就没有高速光模块。一、磷化铟衬底需求井喷，高纯铟成为光芯片核心原料随着 800G/1.6T/3.2T 高速光模块、硅光芯片的大规模部署，磷化铟（InP）衬底作为光通信芯片、射频器件的核心基底材料，需求呈指数级增长。而磷化铟衬底的生产，离不开超高纯金属铟作为关键原料，尤其是 7N（99.99999%）级别的高纯铟，直接决定了衬底材料的性能与良率，是行业公认的 “卡脖子” 环节。

在此背景下，豫光金铅（600531） 凭借自主研发的 7N 高纯铟产品，成功卡位磷化铟衬底产业链的上游核心环节，成为本轮光芯片国产替代浪潮中最具确定性的受益标的。二、豫光金铅：技术突破 + 国产替代，构筑高纯铟龙头护城河（一）7N 高纯铟实现量产，直接适配磷化铟衬底生产

豫光金铅在投资者互动中明确表示，公司生产的 7N 高纯铟，属于泛半导体用高纯金属研发及产业化项目下产品，可直接用于制备磷化铟（InP）衬底材料，打破了海外厂商在超高纯铟领域的技术垄断：纯度指标行业领先：7N 级别的高纯铟，纯度高达

99.99999%，可满足磷化铟衬底生产对原料纯度的严苛要求，保障衬底材料的晶体质量与电学性能；技术路线成熟稳定：公司拥有成熟的高纯铟提纯工艺，可实现规模化生产，为磷化铟衬底企业提供稳定的原料供应；

直接对接下游核心需求：产品精准匹配磷化铟衬底生产的原料标准，大幅降低下游客户的生产成本与工艺复杂度。（二）全产业链协同优势，打造原料

  • 应用一体化解决方案豫光金铅在有色金属冶炼领域的深厚积累，为高纯铟业务的发展提供了坚实支撑：

    上游资源优势：公司拥有稳定的铟原料供应渠道，可保障高纯铟生产的原料供给，不受市场波动影响；

    提纯技术壁垒高：7N 高纯铟的提纯工艺复杂，技术门槛高，公司凭借多年研发积累，已掌握核心提纯技术，产品良率与稳定性处于行业领先水平；

    客户资源优势：已与国内多家半导体材料企业建立合作关系，可快速触达磷化铟衬底生产企业，推动产品导入与市场拓展。磷化铟市场发展预测

    （三）行业景气度持续上行，高纯铟需求进入爆发期随着 AI 算力基建的持续推进，国内磷化铟衬底产能扩张速度加快，对 7N 高纯铟的需求同步增长。据行业测算，2026 年国内磷化铟衬底产能扩张将带动高纯铟需求增长超 40%，豫光金铅作为国内少数具备 7N 高纯铟供应能力的企业，直接受益于行业需求增长。磷化铟 “卡脖子” 核心是高纯铟！豫光金铅 7N 级打破垄断，锚定 AI 光通信长牛当前全球磷化铟衬底供需缺口超 70%，2 英寸衬底价格一年暴涨近 2 倍，6 英寸高端产品突破5200 美元 / 片，订单排期至 2027 年底，交付周期超 18 个月，缺货已成行业常态。更关键的是，磷化铟制造的真正 “命门” 不在衬底产能，而在7N 级高纯铟—— 作为磷化铟的核心原料。

    磷化铟衬底是高速光模块、硅光芯片的 “心脏”，而 7N 高纯铟则是磷化铟衬底生产的 “血液”，原料纯度直接决定了产品性能与良率，是行业真正的 “卡脖子” 环节。AI 算力爆发带动光芯片需求井喷，磷化铟衬底产能扩张潮开启，而高纯铟的供应瓶颈却成为国产替代的最大障碍。

    豫光金铅的价值，在于它精准卡位磷化铟产业链最上游、最卡脖子的高纯铟环节，成为国内极少数稳定量产 7N高纯铟的公司，产品直接供应磷化铟衬底制造，深度绑定 AI算力与高速光模块需求。

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