（对应韩国媒体报道 长鑫键合）


一、2026年7月5日：韩国经济日报、ZDNet Korea 同步披露，称长鑫在合肥秘密推进键合DRAM（Bonded DRAM）研发产线建设，目标是不用EUV、靠DUV+键合做高性能DRAM。

7月5日 22:09：格隆汇电报转韩媒通稿，措辞是"长鑫存储目前正在合肥秘密启动一条最先进研发生产线建设工程"。


（对应韬定律V 2 注重封装）

二、快克×华为：联合专利和TCB

• 双方联合申请约12项半导体先进封装专利，申请人栏同时出现"快克智能/快克芯/华为技术"，例如 CN118676038A《气压膜压接装置》（2024-08-26申请），三方联合，针对HBM/2.5D/3D热压键合。

• 快克是目前国内唯一与华为（含昇腾业务）联合申请先进封装专利的设备商，合作模式：华为出工艺参数+验证标准，快克做整机。

• TCB设备精度 ±1μm@3σ，已通过华为昇腾芯片工艺验证，适配HBM3E/HBM4。


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