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近期，1.6T光模块的产业化加速引发了市场对上游核心材料“载体铜箔”的全面重估。1.6T光模块对载体铜箔有硬性需求，日本三井金属于4月起对产品提价且产能远低于市场需求。在技术变革驱动和供需严重失衡的背景下，国产供应商迎来机遇。一、1.6T 光模块产业化加速，载体铜箔迎来供需格局剧变

随着 AI 算力升级对信号传输速率和完整性的极致要求，光模块行业正经历从 800G 到 1.6T 的跨越，而这一技术变革直接引爆了上游核心材料载体铜箔的市场需求。

载体铜箔的重估，本质上是赚取“技术路线切换”带来的预期差。AI算力直接驱动了PCB制造工艺的代际跨越。在800G光模块时代，PCB主要采用HDI工艺，进入1.6T时代，PCB基板转向采用mSAP工艺，该工艺无法使用传统铜箔，必须依赖厚度仅为2-3μm的带载体可剥离超薄铜箔。

这一技术迭代使得载体铜箔在1.6T光模块中成为不可或缺的核心材料。1.6T光模块渗透率快速提升，将带动载体铜箔需求呈倍数级增长。

受供需紧缺、AI服务器需求拉动及上游铜价上涨驱动，三井金属已于2026年3月宣布对MicroThin载体铜箔产品提价12%，并于4月起正式生效。此次涨价不仅确认了该环节极高的技术壁垒与盈利弹性，也为国产供应商打开了战略性窗口。在这一背景下，亨通股份（600226） 凭借全资子公司亨通铜箔在载体铜箔领域的提前布局，成为国产替代浪潮中最具确定性的受益标的之一。

二、亨通股份：研发载体铜箔，技术领先，构建高端铜箔产品矩阵全资子公司亨通铜箔，正加速推进载体铜箔相关产品研发，构建起高端电子电路铜箔产品矩阵。
（一）载体铜箔研发加速推进，直击 1.6T 光模块核心需求亨通股份全资子公司亨通铜箔紧跟行业技术前沿，正加速推进载体铜箔相关产品的研发，目标产品可满足 1.6T 光模块 mSAP 工艺的要求，厚度仅为 2-3μm，具备可剥离、超薄、低轮廓等特性，是国产替代的关键突破方向。
载体铜箔的加工费远高于传统

HVLP 铜箔，行业盈利空间广阔，随着产品研发落地，亨通股份有望率先切入这一高附加值赛道，直接受益于
1.6T 光模块需求的爆发。（二）高端铜箔技术储备丰富，多产品协同发力在电子电路铜箔方面，公司全资子公司亨通铜箔自主研发的反转铜箔（RTF）、低轮廓铜箔（LP）、高温延伸铜箔（HTE） 等高附加值产品已实现规模化量产。

除载体铜箔外，亨通铜箔在高端铜箔领域已构建完善的产品矩阵：

已量产产品：反转铜箔（RTF）、低轮廓铜箔（LP）、高温延伸铜箔（HTE）等高附加值产品已实现规模化量产，技术水平处于行业领先地位；

公司互动易回复：铜铝箔新材料研究院积极开展铜铝复合箔、 压延后处理箔、 铜箔镀镍等产品研发，其中铜铝复合箔通过了下游行业客户认证并导入。

在研产品：超低轮廓铜箔 HVLPⅢ、RTF-Ⅲ 等产品的研发正在加速推进，可满足 AI
服务器、高频高速电路板的性能要求；

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锂电铜箔：已具备 4.5μm 至 8μm 铜箔全批量供货能力，掌握 3.5μm 铜箔的生产技术，同时积极探索多孔铜箔、雾化铜箔（泡沫铜）等前沿技术，为固态电池发展提供支撑。日前，亨通股份发布公告，其全资子公司亨通铜箔拟在四川省德阳市建设亨通高端精密复合箔材成果转化项目(一期)，项目全面投产后，预计可形成年产4500万平方米高端铜铝复合箔生产能力。亨通股份财报显示，2025年上半年，该公司铜箔销量同比增131.33%，铜箔业务营收5.53亿元，占总营收的67.59%。

技术壁垒高，亨通股份具备先发优势载体铜箔行业具有极高的技术壁垒，需要突破超薄铜箔制备、可剥离层控制、低轮廓处理等多项核心技术，国内具备相关研发能力的企业屈指可数。亨通股份凭借多年高端铜箔研发经验，已在载体铜箔领域实现技术突破，处于行业第一梯队，有望在国产替代浪潮中占据先发优势。

把握 1.6T 光模块风口，载体铜箔需求爆发，亨通股份的国产替代机遇站在 1.6T 光模块产业化加速的关键节点，载体铜箔行业迎来供需格局剧变，国产替代窗口正式打开。亨通股份作为国内高端铜箔领域的龙头企业，凭借在载体铜箔领域的提前布局、丰富的技术储备与产能优势，有望率先实现产品研发与客户导入，成为国产替代浪潮中最具确定性的受益标的。

短期来看，1.6T 光模块渗透率提升将带动载体铜箔需求增长，公司载体铜箔研发取得进展，产品有望实现批量订单落地；长期来看，国产替代进程加速将为公司带来持续的成长动力。

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