去日化·日本垄断领域国产替代全景梳理

核心驱动:日本供应链脆弱性(原材料依赖中国钨/稀土出口管制)+ AI算力高景气+政策催化(商务部对日两用物项管制)→ 国产替代确定性加速一、TAC膜(日企垄断87%+)——0→1突破,弹性最大富士胶片+柯尼卡美能达两家日企占全球87%+,下游面板大陆占70%,严重失衡个股核心逻辑进度天禄科技国内TAC膜核心替代厂商,子公司安徽吉光厂房收尾设备进场,三利...
从物理瓶颈到刚需爆发:拆解半导体\

"以钼代钨"产业变革分析2026年半导体材料行业最大的结构性拐点,并非光刻胶、特种气体的渐进式迭代,而是一场颠覆式的底层金属材料替代:以钼代钨。随着3nm以下先进逻辑制程、300层以上超高堆叠3D NAND进入规模化量产阶段,传统钨金属互连工艺彻底触及物理极限,钼凭借不可替代的物理优势成为新一代芯片标配材料,这一变革不是短期概念炒作...
SpaceX: 太空算力是其最具颠覆性想象力的板块,对应标的:顺灏股份

一、SpaceX 太空算力:确实是其最具颠覆性想象力2026 年 6 月 8 日,马斯克正式公布了太空 AI 数据中心完整蓝图,这一计划被广泛认为是 SpaceX 继星链之后最具革命性的商业构想,也是其即将于 6 月 12 日进行的 1.75 万亿美元 IPO 的核心估值支撑。核心计划与技术参数AI1 卫星:首款轨道计算卫星,翼展约 70 米(与波音 ...
有研新材:双线共振逻辑——存储钼靶核心主线+光纤四氯化锗加分

一、主线逻辑:半导体溅射钼靶,本轮靶材行情核心正宗标的1、产业变革催化实锤,技术路线不可逆6月11日SK海力士官宣375层3D NAND完成全流程验证,2026年底清州工厂量产,400/600层超高堆叠存储统一以钼代钨制作字线。300层以上超高层NAND线路微缩后,钨薄膜电阻飙升、必须搭配TiN阻挡层,限制存储密度;钼电阻率低30%-60%,无需阻挡层...