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半导体设备零部件:国产替代进入深水区

半导体设备零部件:国产替代进入深水区
过去几年,半导体设备国产化的重点,主要集中在刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等整机设备。但随着国产设备逐步进入晶圆厂,产业矛盾也在发生变化;过去解决的是整机能不能造出来,现在面对的是整机能不能稳定生产、持续交付。一台半导体设备通常由成千上万个零部件组成。腔体、阀门、真空泵、射频电源、质量流量控制器、静电卡盘、机械手、温控系统,任何一个关键部件出现短板,都可能...

半导体材料去日本化

半导体材料去日本化
"去日化"的双轮驱动:r供给端倒逼——日本管制+中方反制。日本对华ArF/EUV光刻胶新订单全面停止,日系竞争对手原料断供(六氟化钨等)导致产能永久收缩,下游晶圆厂被迫加速导入国产材料供应商,验证周期大幅压缩。r需求端爆发——AI算力带动半导体全产业链量价齐升。HBM堆叠层数增加、芯片制程持续微缩、先进封装需求爆发,每一层变化都在放...

靶材:稀有金属断供,下一个六氟化钨

靶材:稀有金属断供,下一个六氟化钨
【受稀有金属管制影响,靶材第一大国日本不断停产限产】✨三菱综合材料:2022年宣布,2023–2024年全面退出溅射靶材(半导体/显示用)。✨东曹、日矿金属(JX):2026年起暂停新增产能、部分产线降负荷;高端钼靶、钨靶交付拉长、成本涨30%–50%。✨霍尼韦尔(日本):铟靶因原料受限,军工级基本断供,民用严控。✨东京应化(TOK):2026年4月地...

从物理瓶颈到刚需爆发:拆解半导体\

从物理瓶颈到刚需爆发:拆解半导体\
"以钼代钨"产业变革分析2026年半导体材料行业最大的结构性拐点,并非光刻胶、特种气体的渐进式迭代,而是一场颠覆式的底层金属材料替代:以钼代钨。随着3nm以下先进逻辑制程、300层以上超高堆叠3D NAND进入规模化量产阶段,传统钨金属互连工艺彻底触及物理极限,钼凭借不可替代的物理优势成为新一代芯片标配材料,这一变革不是短期概念炒作...

聚和材料(688503):半导体材料最深的国产替代暗线

聚和材料(688503):半导体材料最深的国产替代暗线
国内唯一一家能做14-90nm空白掩膜版的企业。除此之外没有第二家。它干什么的空白掩膜版——光刻工艺用的"底片原材料"。石英基板+遮光膜,占掩膜版制造成本50%以上。目前国产化率:0%。全从日本HOYA、韩国SKE进口。一片都没国产。它凭什么2025年9月,花了2.98亿人民币收购韩国SKE空白掩膜版事业部。买到的东西:14nm-9...

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